Bipolartransistor 2SD2137-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2137-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-4

Pinbelegung des 2SD2137-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD2137-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2137 liegt im Bereich von 70 bis 250, die des 2SD2137-Q im Bereich von 70 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2137-P-Transistor könnte nur mit "D2137-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD2137-P ist der 2SB1417-P.

SMD-Version des Transistors 2SD2137-P

Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD2137-P-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2137-P

Sie können den Transistor 2SD2137-P durch einen 2SD2137A oder 2SD2137A-P ersetzen.
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