Bipolartransistor 2SD1621-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1621-S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1621-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1621-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1621 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SD1621-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1621-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1621-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Der 2SD1621-S-Transistor ist als "DDS" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1621-S ist der 2SB1121-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1621-S

Sie können den Transistor 2SD1621-S durch einen 2SD1623, 2SD1623-S, 2SD1624 oder 2SD1624-S ersetzen.
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