Bipolartransistor 2SD1621

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1621

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SD1621

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1621 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1621-R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1621-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1621-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1621-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1621-Transistor könnte nur mit "D1621" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1621 ist der 2SB1121.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1621

Sie können den Transistor 2SD1621 durch einen 2SD1623 oder 2SD1624 ersetzen.
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