Bipolartransistor 2SD1485

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1485

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SD1485

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1485 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1485-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1485-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1485-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1485-Transistor könnte nur mit "D1485" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1485 ist der 2SB1054.

SMD-Version des Transistors 2SD1485

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1485-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1485

Sie können den Transistor 2SD1485 durch einen 2SD1486, 2SD1487 oder 2SD1488 ersetzen.
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