Bipolartransistor 2SD1380

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 82 bis 390
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1380 kann eine Gleichstromverstärkung von 82 bis 390 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1380-P liegt im Bereich von 82 bis 180, die des 2SD1380-Q im Bereich von 120 bis 270, die des 2SD1380-R im Bereich von 180 bis 390.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1380-Transistor könnte nur mit "D1380" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1380 ist der 2SB1009.Sie können den Transistor 2SD1380 durch einen 2SD1722, 2SD1723, BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BDX35, BDX36, MJE222, MJE225, MJE521 oder MJE521G ersetzen.