Bipolartransistor 2SD1255-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1255-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1255 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1255-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1255-Q im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1255-R-Transistor könnte nur mit "D1255-R" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD1255-R durch einen 2SD1253A, 2SD1256, 2SD1256-R, 2SD1257, 2SD1257-R, 2SD1257A oder 2SD1257A-R ersetzen.