Bipolartransistor 2SD1257-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1257-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1257 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1257-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1257-Q im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1257-R-Transistor könnte nur mit "D1257-R" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD1257-R durch einen 2SD1257A oder 2SD1257A-R ersetzen.