Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1254-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des 2SD1254-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1254-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1254 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1254-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1254-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1254-P-Transistor könnte nur mit "D1254-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1254-P ist der 2SB931-P.
