Bipolartransistor 2SD1256-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 130 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1256-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1256 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1256-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SD1256-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1256-P-Transistor könnte nur mit "D1256-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1256-P ist der 2SB933-P.Sie können den Transistor 2SD1256-P durch einen 2SD1257, 2SD1257-P, 2SD1257A oder 2SD1257A-P ersetzen.