Bipolartransistor 2SD1033-L

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1033-L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SD1033-L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1033-L kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1033 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD1033-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1033-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1033-L-Transistor könnte nur mit "D1033-L" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1033-L ist der 2SB768-L.
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