Bipolartransistor 2SB768-L

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB768-L kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB768 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB768-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB768-M im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB768-L-Transistor könnte nur mit "B768-L" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB768-L ist der 2SD1033-L.Sie können den Transistor 2SB768-L durch einen 2SB928, 2SB928-Q, 2SB928A, 2SB928A-Q, 2SD1250, 2SD1250-Q, 2SD1250A oder 2SD1250A-Q ersetzen.