Bipolartransistor 2SC510-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC510-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 90
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SC510-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC510-R kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC510 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SC510-O im Bereich von 50 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC510-R-Transistor könnte nur mit "C510-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC510-R ist der 2SA510-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC510-R

Sie können den Transistor 2SC510-R durch einen 2N5320 oder 2N5338 ersetzen.
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