Bipolartransistor 2SA510-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 90
• Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
• Gehäuse: TO-39

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA510-R kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA510 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SA510-O im Bereich von 50 bis 150.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA510-R-Transistor könnte nur mit "A510-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA510-R ist der 2SC510-R.Sie können den Transistor 2SA510-R durch einen 2N5322 oder 2N6192 ersetzen.