Bipolartransistor 2SC3331-V

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3331-V

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC3331-V

Der 2SC3331-V wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3331-V kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3331 liegt im Bereich von 100 bis 800, die des 2SC3331-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC3331-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SC3331-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC3331-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3331-V-Transistor könnte nur mit "C3331-V" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3331-V

Sie können den Transistor 2SC3331-V durch einen 2SC3330, 2SC3330-V, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, 2SD789, 2SD789-E oder KTC1006 ersetzen.
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