Bipolartransistor 2SC1775

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1775

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 1200
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Rauschzahl, max: 5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC1775

Der 2SC1775 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1775 kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 1200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1775-E liegt im Bereich von 400 bis 800, die des 2SC1775-F im Bereich von 600 bis 1200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1775-Transistor könnte nur mit "C1775" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1775 ist der 2SA872.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1775

Sie können den Transistor 2SC1775 durch einen 2SC1775A, 2SC1841, 2SC1845, 2SC1890, 2SC1890A, 2SC2543, 2SC2544, 2SC2546, 2SC2784, 2SD755 oder KSC1845 ersetzen.
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