Bipolartransistor 2SB936A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB936A-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB936A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB936A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB936A liegt im Bereich von 90 bis 260, die des 2SB936A-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB936A-P-Transistor könnte nur mit "B936A-P" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SB936A-P

Der 2STF2550 (SOT-89) und 2STN2550 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB936A-P-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB936A-P

Sie können den Transistor 2SB936A-P durch einen 2SB935A oder 2SB935A-P ersetzen.
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