Bipolartransistor 2SB935A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB935A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB935A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB935A kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB935A-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB935A-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB935A-Transistor könnte nur mit "B935A" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB935A

Sie können den Transistor 2SB935A durch einen 2SB936A ersetzen.
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