Bipolartransistor 2SB935A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB935A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB935A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB935A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB935A liegt im Bereich von 90 bis 260, die des 2SB935A-P im Bereich von 130 bis 260.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB935A-Q-Transistor könnte nur mit "B935A-Q" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB935A-Q

Sie können den Transistor 2SB935A-Q durch einen 2SB936A oder 2SB936A-Q ersetzen.
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