Bipolartransistor 2SB1559-Y
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1559-Y
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
- Verlustleistung, max: 80 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15000 bis 30000
- Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SB1559-Y
Klassifizierung von hFE
Equivalent circuit
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1559-Y
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