Bipolartransistor 2SA812-M3

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA812-M3

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 90
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA812-M3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA812-M3 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA812 liegt im Bereich von 90 bis 600, die des 2SA812-M4 im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA812-M5 im Bereich von 135 bis 270, die des 2SA812-M6 im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA812-M7 im Bereich von 300 bis 600.

Kennzeichnung

Der 2SA812-M3-Transistor ist als "M3" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA812-M3 ist der 2SC1623-L3.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA812-M3

Sie können den Transistor 2SA812-M3 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, FMMT551, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBT4354 oder MMBT4356 ersetzen.
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