Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA812-M3
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 90
Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SA812-M3
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA812-M3 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA812 liegt im Bereich von 90 bis 600, die des 2SA812-M4 im Bereich von 90 bis 180, die des 2SA812-M5 im Bereich von 135 bis 270, die des 2SA812-M6 im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA812-M7 im Bereich von 300 bis 600.
Kennzeichnung
Der 2SA812-M3-Transistor ist als "M3" gekennzeichnet.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA812-M3 ist der 2SC1623-L3.