Bipolartransistor 2SA499-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA499-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des 2SA499-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA499-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA499 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA499-O im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA499-Y-Transistor könnte nur mit "A499-Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA499-Y ist der 2SC979-Y.

SMD-Version des Transistors 2SA499-Y

Der 2SA812 (SOT-23), 2SA812-M4 (SOT-23), KSA812 (SOT-23) und KSA812-O (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA499-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA499-Y

Sie können den Transistor 2SA499-Y durch einen 2N2907, 2N2907A, 2N3251, 2N3496, 2N4034, BC297, BCY70, BCY71 oder NTE159M ersetzen.
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