Bipolartransistor 2SA1163-BL

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1163-BL

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 350 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1163-BL

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1163-BL kann eine Gleichstromverstärkung von 350 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1163 liegt im Bereich von 200 bis 700, die des 2SA1163-GR im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1163-BL-Transistor könnte nur mit "A1163-BL" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1163-BL ist der 2SC2713-BL.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1163-BL

Sie können den Transistor 2SA1163-BL durch einen 2SA1312, 2SA1312-BL, KST93 oder PBHV9115T ersetzen.
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