Bipolartransistor 2N6499

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6499

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 450 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6499

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6499

Sie können den Transistor 2N6499 durch einen 2SC3795, 2SC3795A, 2SC4242, 2SC5241, MJE13070, MJE13071, MJE16002, MJE16004 oder MJE8502 ersetzen.
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