Bipolartransistor 2N6307
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6307
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
- Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N6307
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6307
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