Bipolartransistor 2N5682

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5682

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5682

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5682 ist der 2N5680.

SMD-Version des Transistors 2N5682

Der FMMT625 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5682-Transistors.

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