Bipolartransistor 2N5680

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5680

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5680

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5680 ist der 2N5682.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5680

Sie können den Transistor 2N5680 durch einen 2N5415 ersetzen.

Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com