Bipolartransistor 2N5679

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5679

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5679

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5679 ist der 2N5681.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5679

Sie können den Transistor 2N5679 durch einen 2N5322, 2N5415, 2N5680 oder 2SA510 ersetzen.
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