Bipolartransistor 2N5679
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5679
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N5679
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5679
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