Bipolartransistor 2N5321

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5321

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 75 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5321

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5321 ist der 2N5323.
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