Bipolartransistor 2N5193

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5193

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N5193

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5193 ist der 2N5190.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5193

Sie können den Transistor 2N5193 durch einen 2N5193G, 2N5194, 2N5194G, MJE232, MJE235 oder MJE252 ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N5193G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N5193.
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