Bipolartransistor 2N3020
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3020
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 0.8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N3020
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3020
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