Transistor bipolare TIP112G

Caratteristiche elettriche del transistor TIP112G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 2 A
  • Dissipazione di potenza: 50 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-220
  • TIP112G 2m è la versione senza piombo del transistor TIP112

Piedinatura del TIP112G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

TIP112G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor TIP112G

È possibile sostituire il TIP112G con i transistor 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1194, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1828, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP112, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T o TTD1415B.
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