Transistor bipolare SS8050D

Caratteristiche elettriche del transistor SS8050D

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
  • Tensione massima collettore-base: 40 V
  • Tensione massima emettitore-base: 6 V
  • Corrente di collettore continua: 1.5 A
  • Dissipazione di potenza: 1 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 160 a 300
  • Frequenza di transizione: 100 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-92

Piedinatura del SS8050D

Il SS8050D è prodotto in un contenitore TO-92 di plastica. Osservando il lato piatto con i conduttori rivolti verso il basso, i tre conduttori che emergono dal transistor sono, da sinistra a destra, l'emettitore, la base e il collettore.
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor SS8050D

È possibile sostituire il SS8050D con i transistor MPS650, MPS650G, MPS8050, MPS8050D o ZTX690B.
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