Transistor bipolare PMBT5550
Caratteristiche elettriche del transistor PMBT5550
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 140 V
- Tensione massima collettore-base: 160 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 0.3 A
- Dissipazione di potenza: 0.25 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 250
- Frequenza di transizione: 100 MHz
- Figura di rumore massima: 10 dB
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor
Piedinatura del PMBT5550
Transistor PMBT5550 in pacchetto TO-92
Sostituzione ed equivalenti per il transistor PMBT5550
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