Transistor bipolare NTE159M
Caratteristiche elettriche del transistor NTE159M
- Tipo di transistor: PNP
- Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
- Tensione massima collettore-base: -60 V
- Tensione massima emettitore-base: -5 V
- Corrente di collettore continua: -0.6 A
- Dissipazione di potenza: 0.4 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 100 a 300
- Frequenza di transizione: 200 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-18
Piedinatura del NTE159M
Sostituzione ed equivalenti per il transistor NTE159M
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