Transistor bipolare MPS8050S-D
Caratteristiche elettriche del transistor MPS8050S-D
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
- Tensione massima collettore-base: 40 V
- Tensione massima emettitore-base: 6 V
- Corrente di collettore continua: 1.5 A
- Dissipazione di potenza: 0.35 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 160 a 300
- Frequenza di transizione: 190 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular MPS8050D transistor
Piedinatura del MPS8050S-D
Transistor MPS8050S-D in pacchetto TO-92
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MPS8050S-D
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