Transistor bipolare MPS6602G
Caratteristiche elettriche del transistor MPS6602G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 30 V
- Tensione massima collettore-base: 40 V
- Tensione massima emettitore-base: 4 V
- Corrente di collettore continua: 1 A
- Dissipazione di potenza: 0.625 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 50
- Frequenza di transizione: 100 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-92
- MPS6602G 2m è la versione senza piombo del transistor MPS6602
Piedinatura del MPS6602G
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MPS6602G
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