Transistor bipolare MPS650G
Caratteristiche elettriche del transistor MPS650G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 40 V
- Tensione massima collettore-base: 60 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 2 A
- Dissipazione di potenza: 0.625 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 75
- Frequenza di transizione: 75 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-92
- MPS650G 2m è la versione senza piombo del transistor MPS650
Piedinatura del MPS650G
Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MPS650G
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