Transistor bipolare MMBT5551

Caratteristiche elettriche del transistor MMBT5551

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 160 V
  • Tensione massima collettore-base: 180 V
  • Tensione massima emettitore-base: 6 V
  • Corrente di collettore continua: 0.6 A
  • Dissipazione di potenza: 0.35 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 80 a 250
  • Frequenza di transizione: 100 MHz
  • Figura di rumore massima: 8 dB
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: SOT-23

Piedinatura del MMBT5551

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MMBT5551

È possibile sostituire il MMBT5551 con i transistor 2N5551S o KST5551.
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