Transistor bipolare MMBT5550

Caratteristiche elettriche del transistor MMBT5550

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 140 V
  • Tensione massima collettore-base: 160 V
  • Tensione massima emettitore-base: 6 V
  • Corrente di collettore continua: 0.6 A
  • Dissipazione di potenza: 0.35 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 60 a 250
  • Frequenza di transizione: 100 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: SOT-23

Piedinatura del MMBT5550

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MMBT5550

È possibile sostituire il MMBT5550 con i transistor FMMT625 o KST5550.
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