Transistor bipolare MMBT5089
Caratteristiche elettriche del transistor MMBT5089
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
- Tensione massima collettore-base: 30 V
- Tensione massima emettitore-base: 3 V
- Corrente di collettore continua: 0.05 A
- Dissipazione di potenza: 0.35 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 400 a 1200
- Frequenza di transizione: 50 MHz
- Figura di rumore massima: 2 dB
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -55 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: SOT-23
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Piedinatura del MMBT5089
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MMBT5089
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