Transistor bipolare MJD50T4G
Caratteristiche elettriche del transistor MJD50T4G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 400 V
- Tensione massima collettore-base: 500 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 1 A
- Dissipazione di potenza: 15 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 30 a 150
- Frequenza di transizione: 10 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-252
- Electrically Similar to the Popular TIP50 transistor
- MJD50T4G 2m è la versione senza piombo del transistor MJD50T4
Piedinatura del MJD50T4G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD50T4G
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