Transistor bipolare MJD200
Caratteristiche elettriche del transistor MJD200
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 25 V
- Tensione massima collettore-base: 40 V
- Tensione massima emettitore-base: 8 V
- Corrente di collettore continua: 5 A
- Dissipazione di potenza: 12.5 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 45 a 180
- Frequenza di transizione: 65 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
- Tipo di pacchetto: TO-252
- Electrically Similar to the Popular MJE200 transistor
Piedinatura del MJD200
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD200
Versione senza piombo
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