Transistor bipolare MJD122T4G

Caratteristiche elettriche del transistor MJD122T4G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 100 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 8 A
  • Dissipazione di potenza: 20 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 12000
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +150 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
  • MJD122T4G 2m è la versione senza piombo del transistor MJD122T4

Piedinatura del MJD122T4G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJD122T4G

È possibile sostituire il MJD122T4G con i transistor MJD122, MJD122G o MJD122T4.
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