Transistor bipolare MJ8505

Caratteristiche elettriche del transistor MJ8505

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 800 V
  • Tensione massima collettore-base: 1400 V
  • Tensione massima emettitore-base: 8 V
  • Corrente di collettore continua: 10 A
  • Dissipazione di potenza: 175 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 8
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3

Piedinatura del MJ8505

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.
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