Transistor bipolare MJ802G
Caratteristiche elettriche del transistor MJ802G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 90 V
- Tensione massima collettore-base: 100 V
- Tensione massima emettitore-base: 4 V
- Corrente di collettore continua: 30 A
- Dissipazione di potenza: 200 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): da 25 a 100
- Frequenza di transizione: 2 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
- MJ802G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ802
Piedinatura del MJ802G
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ802G
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