Transistor bipolare MJ802G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ802G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 90 V
  • Tensione massima collettore-base: 100 V
  • Tensione massima emettitore-base: 4 V
  • Corrente di collettore continua: 30 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 25 a 100
  • Frequenza di transizione: 2 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ802G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ802

Piedinatura del MJ802G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ802G

È possibile sostituire il MJ802G con i transistor 2N5671, 2N5672, MJ802 o NTE181.
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