Transistor bipolare MJ11031G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11031G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -90 V
  • Tensione massima collettore-base: -90 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -50 A
  • Dissipazione di potenza: 300 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 18000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ11031G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11031

Piedinatura del MJ11031G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11031G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11031G

È possibile sostituire il MJ11031G con i transistor MJ11031, MJ11033 o MJ11033G.
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