Transistor bipolare MJ11029G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11029G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -60 V
  • Tensione massima collettore-base: -60 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -50 A
  • Dissipazione di potenza: 300 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): da 1000 a 18000
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ11029G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11029

Piedinatura del MJ11029G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11029G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11029G

È possibile sostituire il MJ11029G con i transistor MJ11029, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.
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