Transistor bipolare MJ11014G
Caratteristiche elettriche del transistor MJ11014G
- Tipo di transistor: NPN
- Tensione massima collettore-emettitore: 90 V
- Tensione massima collettore-base: 90 V
- Tensione massima emettitore-base: 5 V
- Corrente di collettore continua: 30 A
- Dissipazione di potenza: 200 W
- Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
- Frequenza di transizione: 4 MHz
- Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
- Tipo di pacchetto: TO-3
- MJ11014G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11014
Piedinatura del MJ11014G
Equivalent circuit
Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11014G
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