Transistor bipolare MJ11014G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11014G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 90 V
  • Tensione massima collettore-base: 90 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 30 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ11014G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11014

Piedinatura del MJ11014G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11014G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11014G

È possibile sostituire il MJ11014G con i transistor MJ11014, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 o MJ11032G.
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