Transistor bipolare MJ11013G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11013G

  • Tipo di transistor: PNP
  • Tensione massima collettore-emettitore: -90 V
  • Tensione massima collettore-base: -90 V
  • Tensione massima emettitore-base: -5 V
  • Corrente di collettore continua: -30 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ11013G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11013

Piedinatura del MJ11013G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11013G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11013G

È possibile sostituire il MJ11013G con i transistor MJ11013, MJ11015, MJ11015G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033 o MJ11033G.
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