Transistor bipolare MJ11012G

Caratteristiche elettriche del transistor MJ11012G

  • Tipo di transistor: NPN
  • Tensione massima collettore-emettitore: 60 V
  • Tensione massima collettore-base: 60 V
  • Tensione massima emettitore-base: 5 V
  • Corrente di collettore continua: 30 A
  • Dissipazione di potenza: 200 W
  • Guadagno di corrente CC (hfe): 1000
  • Frequenza di transizione: 4 MHz
  • Temperatura di stoccaggio e di esercizioo: -65 to +200 °C
  • Tipo di pacchetto: TO-3
  • MJ11012G 2m è la versione senza piombo del transistor MJ11012

Piedinatura del MJ11012G

Ecco un'immagine che mostra lo schema dei pin di questo transistor.

Equivalent circuit

MJ11012G equivalent circuit

Sostituzione ed equivalenti per il transistor MJ11012G

È possibile sostituire il MJ11012G con i transistor MJ11012, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 o MJ11032G.
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